Groq 推进下一代芯片引入三维堆叠 DRAM

AI 芯片公司 Groq 正在推进在下一代芯片中引入 DRAM 三维堆叠封装，以替代速度快但容量较小的 SRAM 方案。Groq 由前谷歌 TPU 设计者 Jonathan Ross 于 2016 年创立，去年被英伟达以迂回方式收购。Groq 评估的方案为 3DS，通过硅通孔将 DRAM 芯片垂直连接，提供高容量封装。三维封装可将多颗裸片垂直堆叠并作为一颗芯片工作，相较平面方案缩小面积、提高电力效率。3DS 与 HBM 都使用硅通孔，但 HBM 侧重传输速度，3DS 维持既有 DRAM 接口并聚焦容量扩张。业界人士表示，Groq 计划在下一代芯片采用三维封装，堆叠的是 DRAM 而非 SRAM，因市场需求转向更大容量芯片，Groq 因此选择在容量上更有优势的 DRAM。